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本发明公开一种半导体存储器件的制作工艺、半导体存储器件及半导体工艺设备，该制作工艺包括：S100、在晶圆上溅射沉积底电极薄膜；S200、在底电极薄膜上溅射沉积一定厚度的富氧状态的阻变薄膜；S300、对富氧状态的阻变薄膜的预设厚度的部分进行还...
该专利属于北京北方华创微电子装备有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京北方华创微电子装备有限公司授权不得商用。

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