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本发明涉及一种高效改变SiC衬底形状的方法，该方法包括采用双面研磨机对切割后的晶片进行双面研磨；清洗后采用双面抛光机将清洗完毕的晶片置于抛光机中进行双面机械抛光，如果双面机械抛光之后的晶片形状相对于目标形状为劣，且Bow＞15um，对晶片进...
该专利属于山东大学所有，仅供学习研究参考，未经过山东大学授权不得商用。

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