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本发明公开了一种存储单元及其数据读写方法、制备方法及存储器，存储单元包括：第一晶体管与第二晶体管；第一晶体管包括：第一栅极、位于第一栅极底面的第一介电层以及位于第一介电层底面的第一沟道层、第一源极与第一漏极；第二晶体管包括：第二栅极、位于第...
该专利属于南方科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过南方科技大学授权不得商用。

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