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本申请提供一种集成电路闩锁测试结构。该电路包括：第一P型重掺杂区、第一N型重掺杂区、第二P型重掺杂区和第二N型重掺杂区，第一P型重掺杂区和第一N型重掺杂区均位于P型衬底上，第二P型重掺杂区和第二N型重掺杂区均位于N阱内，N阱位于P型衬底上，...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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