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本发明属于半导体工艺技术领域，具体涉及一种电容结构的制备方法、电容结构及存储器，用于解决电容结构漏电流较大的技术问题。该电容结构的制备方法包括：在第一电极上形成介电层；其中，介电层包括堆叠设置的第一无定形层和高介电常数层，第一无定形层退火后...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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