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本实用新型公开了一种集成钳位二极管结构,包括:芯片本体、深N阱层、N型重掺杂埋层及P型重掺杂层;所述深N阱层、所述N型重掺杂埋层及所述P型重掺杂层均依次设置于所述芯片本体的内部;本实用新型通过设置该钳位保护器件的击穿电压和钳位电压,使得在芯...该专利属于江苏帝奥微电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过江苏帝奥微电子股份有限公司授权不得商用。
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本实用新型公开了一种集成钳位二极管结构,包括:芯片本体、深N阱层、N型重掺杂埋层及P型重掺杂层;所述深N阱层、所述N型重掺杂埋层及所述P型重掺杂层均依次设置于所述芯片本体的内部;本实用新型通过设置该钳位保护器件的击穿电压和钳位电压,使得在芯...