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本申请公开了一种升针路径的规划方法、控制装置及半导体工艺设备，用以解决现有的半导体工艺过程中升针路径不平滑，导致晶圆在升针机构的冲击下发生偏移的问题。该技术方案以两条N阶位移贝塞尔曲线组合成一条位移
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该专利属于北京北方华创微电子装备有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京北方华创微电子装备有限公司授权不得商用。

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