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本发明公开了一种神经元晶体管，包括：衬底，衬底形成有沟道区、源区和漏区，源区和漏区分别设置在沟道区的两端；分别形成在源区和漏区上的源电极和漏电极；第一栅介质层，覆盖在沟道区上；多个相变内栅，设置在第一栅介质层上，每个相变内栅适用于用做记忆电...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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