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本申请公开了一种CIS器件的制作方法，包括：在后段结构上形成第一氮化层，该后段结构的下方形成有CIS器件，该后段结构包括介质层和形成于介质层中的金属层；进行紫外线烘烤处理；在第一氮化层上形成第一氧化层；在第一氧化层上形成第二氮化层。本申请在...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

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