CIS器件的制作方法技术

本申请公开了一种CIS器件的制作方法，包括：在后段结构上形成第一氮化层，该后段结构的下方形成有CIS器件，该后段结构包括介质层和形成于介质层中的金属层；进行紫外线烘烤处理；在第一氮化层上形成第一氧化层；在第一氧化层上形成第二氮化层。本申请在CIS器件的制作过程中，通过在后段结构上先形成第一氮化层，然后进行紫外线烘烤，然后在第一氮化层上形成第一氧化层，在第一氧化层上形成第二氮化层，由于第一氧化层作为缓冲层可以缓解氮化层的应力，从而改善了相关技术中仅通过形成厚的氮化层以降低晶圆的翘曲度所导致的气泡缺陷的问题，提高了器件的可靠性和良率。提高了器件的可靠性和良率。提高了器件的可靠性和良率。

【技术实现步骤摘要】
CIS器件的制作方法


[0001]本申请涉及半导体制造
，具体涉及一种CIS器件的制作方法。

技术介绍

[0002]互补金属氧化物半导体图像传感器(complementary metal oxide semiconductor contact image sensor，CIS)是采用CMOS器件制作的图像传感器，由于其具有集成度高、供电电压低和技术门槛低等优势，广泛应用于摄影摄像、安防系统、智能便携电话以及医疗电子等领域。
[0003]相关技术中，在CIS器件的制作过程中，在形成其后段(backend of line，BEOL)结构后，可增加一步紫外线(ultraviolet，UV)烘烤(bake)步骤以改善CIS器件的图像滞后(image lag)和信号噪声(noise)。然而，UV烘烤会增加晶圆的翘曲度(final warpage)，从而对后续的工艺产生影响。鉴于此，可通过增加后段结构中氮化层的厚度降低晶圆的翘曲度。然而，氮化层厚度的增加会导致其应力过大，从而在其表面形成气泡缺陷(bubble defect)，进而降低了器件的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种CIS器件的制作方法，其特征在于，包括：在后段结构上形成第一氮化层，所述后段结构的下方形成有CIS器件，所述后段结构包括介质层和形成于介质层中的金属层；进行紫外线烘烤处理；在所述第一氮化层上形成第一氧化层；在所述第一氧化层上形成第二氮化层。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一氮化层的厚度为80埃至200埃。3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述第一氧化层的厚度为200埃至3000埃。4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述在所述第一氮化层上形成第一氧...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘莎莎，郭振强，周旭，吴天承，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：