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本发明公开了一种基于复合衬底的场效应晶体管及其制作方法，场效应晶体管包括：基础衬底、复合衬底、单晶硅层、介电层、源极区域、漏极区域和栅极区域；基础衬底的表面依次层叠复合衬底、单晶硅层和介电层；复合衬底包括金刚石层和多晶硅层，金刚石层与基础衬...
该专利属于广东省科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过广东省科学院半导体研究所授权不得商用。

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