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本发明公开了一种高速低电压导电桥式阻变存储器件的制作方法。本发明的制作方法包括：在表面有氧化硅或氮化硅的衬底上制备下电极，通过等离子增强化学气相沉积等工艺制备较厚的隔离层氧化硅或氮化硅，再对隔离层氧化硅或氮化硅层进行刻蚀以形成井区，然后通过...
该专利属于上海科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过上海科技大学授权不得商用。

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