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本发明公开了一种阴面相位梯度超表面结构，包括馈电结构和阴面相位梯度超表面单元结构，所述阴面相位梯度超表面单元结构嵌入所述馈电结构的顶部。根据巴比涅原理，阴面相位梯度超表面单元结构与常规相位梯度超表面单元结构互补，将原本非金属部分填充为金属，...
该专利属于桂林电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过桂林电子科技大学授权不得商用。

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