阴面相位梯度超表面结构制造技术

本发明专利技术公开了一种阴面相位梯度超表面结构，包括馈电结构和阴面相位梯度超表面单元结构，所述阴面相位梯度超表面单元结构嵌入所述馈电结构的顶部。根据巴比涅原理，阴面相位梯度超表面单元结构与常规相位梯度超表面单元结构互补，将原本非金属部分填充为金属，利用缝隙辐射的原理引入相位梯度超表面，可以对辐射的电磁波进行调控。所述阴面相位梯度超表面单元结构由不同尺寸的单元组成，结果表明阴面相位梯度超表面具有传统相位梯度超表面相似的特征，即在阻抗带宽范围内方向图随着频率的变化而具有扫描特性，若合理组成阵列可提高缝隙单元辐射的方向性。隙单元辐射的方向性。隙单元辐射的方向性。

Shaded phase gradient hypersurface structure

【技术实现步骤摘要】
阴面相位梯度超表面结构


[0001]本专利技术涉及射频天线
，尤其涉及一种阴面相位梯度超表面结构。

技术介绍

[0002]相位梯度超表面由于具有良好的电磁特性而引起了广大科研工作者的兴趣，特别是将其作为辐射体形成新型天线也正成为一个研究热点。目前，将常规相位梯度超表面作为辐射体所采用的馈电技术有矩形波导、波纹金属带、类平行板波导和平面喇叭等技术。其对馈电技术要求高且耦合效率低。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种阴面相位梯度超表面结构，旨在解决现有技术中常规相位梯度超表面对馈电结构要求高且耦合效率低的问题。
[0004]为实现上述目的，本专利技术提供了一种阴面相位梯度超表面结构，包括馈电结构和阴面相位梯度超表面单元结构，所述阴面相位梯度超表面单元结构嵌入所述馈电结构的顶部；
[0005]所述阴面相位梯度超表面单元结构包括第一阴面单元、第二阴面单元和第三阴面单元，所述第一阴面单元、所述第二阴面单元、所述第三阴面单元依次嵌入所述馈电结构的顶部，且所述第一阴面单元、所述第二阴面单元、所述第三阴本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阴面相位梯度超表面结构，其特征在于，包括馈电结构和阴面相位梯度超表面单元结构，所述阴面相位梯度超表面单元结构嵌入所述馈电结构的顶部；所述阴面相位梯度超表面单元结构包括第一阴面单元、第二阴面单元和第三阴面单元，所述第一阴面单元、所述第二阴面单元、所述第三阴面单元依次嵌入所述馈电结构的顶部，且所述第一阴面单元、所述第二阴面单元、所述第三阴面单元均位于所述馈电结构的顶部宽边的中轴线上。2.如权利要求1所述的阴面相位梯度超表面结构，其特征在于，所述馈电结构包括SMA连接器和波导，所述波导的材料为金属，所述波导内部具有容纳腔，所述波导和所述容纳腔均为长方体，所述SMA连接器的一端嵌入所述波导的底部，所述SMA连接器的馈电探针的一端贯穿所述波导的底部，位于...

【专利技术属性】
技术研发人员：王宜颖，吴先喜，于新华，潘旺华，莫锦军，孙逢圆，姜彦南，
申请(专利权)人：桂林电子科技大学，
类型：发明
国别省市：