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本申请实施例通过提供一种3D存储芯片，解决了现有存储芯片寄生电阻电容大、使用硅通孔技术而带来的制造成本高、RC延迟大，功耗大，散热差的问题。上述3D存储芯片，包括相互堆叠的存储部分和控制部分，上述存储部分与上述控制部分通过混合键合方式相连接...
该专利属于西安紫光国芯半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安紫光国芯半导体有限公司授权不得商用。

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