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本发明公开了一种寄生双极晶体管放大系数的测量方法及装置，其中方法通过获取待测试的DSOI晶体管；对DSOI晶体管进行电压偏置，并使DSOI晶体管处于关闭状态；对DSOI晶体管的体漏结进行预设能量的粒子入射实验，获得漏端瞬态电流；最后基于所述...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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