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一种半导体结构及其形成方法,结构包括:基底,基底包括衬底以及凸出于衬底的鳍部,沿与鳍部的延伸方向相垂直的方向,基底包括第一器件区和第二器件区,第二器件区的器件工作电压大于第一器件区的器件工作电压,第一器件区和第二器件区的鳍部高度相等;隔离层...该专利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。
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一种半导体结构及其形成方法,结构包括:基底,基底包括衬底以及凸出于衬底的鳍部,沿与鳍部的延伸方向相垂直的方向,基底包括第一器件区和第二器件区,第二器件区的器件工作电压大于第一器件区的器件工作电压,第一器件区和第二器件区的鳍部高度相等;隔离层...