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一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，基底上有栅极结构，栅极结构两侧基底内有源漏掺杂区，栅极结构侧部的基底上有覆盖栅极结构顶部的层间介质层；形成贯穿源漏掺杂区顶部上方的层间介质层的源漏插塞、以及贯穿栅极结构顶部上方的层间介质层的栅...
该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。

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