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本实用新型提供可校准电阻和电阻单元,所述电阻单元包括:衬底;绝缘层,其位于所述衬底上方;多晶硅电阻,其位于所述绝缘层上方;电阻校准结构层,其与所述多晶硅电阻同层,或者位于所述多晶硅电阻的上方或下方;图形化金属层,所述图形化金属层包括第一连接...该专利属于无锡中感微电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过无锡中感微电子股份有限公司授权不得商用。
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本实用新型提供可校准电阻和电阻单元,所述电阻单元包括:衬底;绝缘层,其位于所述衬底上方;多晶硅电阻,其位于所述绝缘层上方;电阻校准结构层,其与所述多晶硅电阻同层,或者位于所述多晶硅电阻的上方或下方;图形化金属层,所述图形化金属层包括第一连接...