电阻单元及采用该电阻单元的可校准电阻制造技术

本实用新型专利技术提供可校准电阻和电阻单元，所述电阻单元包括：衬底；绝缘层，其位于所述衬底上方；多晶硅电阻，其位于所述绝缘层上方；电阻校准结构层，其与所述多晶硅电阻同层，或者位于所述多晶硅电阻的上方或下方；图形化金属层，所述图形化金属层包括第一连接端、第二连接端和L个控制端，所述第一连接端与所述多晶硅电阻的一端电连接，所述第二连接端与所述多晶硅电阻的另一端电连接；每个所述控制端与所述电阻校准结构层电连接，且每个所述控制端接收对应的一个可调的模拟电压；通过调节所述控制端接收到的所述模拟电压的大小，对所述电阻单元的阻值进行校准。单元的阻值进行校准。单元的阻值进行校准。

【技术实现步骤摘要】
电阻单元及采用该电阻单元的可校准电阻


[0001]本技术涉及集成电路
，特别涉及一种电阻单元及采用该电阻单元的可校准电阻。

技术介绍

[0002]对于一些高精度电阻，需要精细校准其电阻值。传统的方案是通过串联和并联很多段电阻单元来实现，这样随着校准越精细，所需的电阻面积非常大，成本较高。请参考图1所示，其为现有技术中的一种高精度电阻的电路示意图，一般每个电阻(R1、R21、R22、R31～R34、R41～R48)都设计得一样的电阻值，例如都设计为R。数字信号D1～D4可以控制一定电阻是否被短路或串联至总电阻值中。如果需要调整R的电阻值量，可以控制开关D1来实现，开关D1与R1并联，可以控制是否R1被短路。R21、R22并联，并联等效电阻为0.5R，因此可以通过控制开关D2来实现改变0.5R的电阻值量。R31～R34并联，并联等效电阻为0.25R，因此可以通过控制开关D3来实现改变0.25R的电阻值量。R41～R48并联，并联等效电阻为0.125R，因此可以通过控制开关D4来实现改变0.125R的电阻值量。以此类推，可以并联N个电阻本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电阻单元，其特征在于，其包括：衬底；绝缘层，其位于所述衬底上方；多晶硅电阻，其位于所述绝缘层上方；电阻校准结构层，其与所述多晶硅电阻同层，或者位于所述多晶硅电阻的上方或下方；图形化金属层，所述图形化金属层包括第一连接端、第二连接端和L个控制端，所述第一连接端与所述多晶硅电阻的一端电连接，所述第二连接端与所述多晶硅电阻的另一端电连接；每个所述控制端与所述电阻校准结构层电连接，且每个所述控制端接收对应的一个可调的模拟电压，其中，L为大于等于1的自然数；通过调节所述控制端接收到的所述模拟电压的大小，对所述电阻单元的阻值进行校准。2.根据权利要求1所述的电阻单元，其特征在于，每个所述控制端与对应的一个数模转换器的输出端相连，所述数模转换器的输入端接收数字信号，其输出端输出与该数字信号对应的所述模拟电压。3.根据权利要求2所述的电阻单元，其特征在于，所述电阻校准结构层为阱区；所述阱区位于所述衬底的正面，且与所述多晶硅电阻相对；所述阱区的导电类型与所述衬底的导电类型相反。4.根据权利要求3所述的电阻单元，其特征在于，其还包括L个阱接触区，所述阱接触区位于所述阱区的正面；所述L个阱接触区与所述L个控制端一一对应电连接；所述阱区经所述L个阱接触区分别与所述L个控制端电连接；所述阱接触区的导电类型与所述阱区的导电类型相同；所述阱接触区的导电类型的掺杂浓度比所述阱区的导电类型的掺杂浓度高。5.根据权利要求4所述的电阻单元，其特征在于，其还包括：介质层，其位于所述多晶硅电阻和所述金属层之间且覆盖所述绝缘层，第一过孔金属，其依次贯穿所述阱接触区上方的所述绝缘层和所述介质层，以将所述L个阱接触区分别与所述L个控制端电连接；第二过孔金属，其贯穿所述多晶硅电阻上方的所述介质层，以将所述多晶硅电阻的一端和另一端分别与所述第一连接端和第二连接端电连接。6.根据权利要求2所述的电阻单元，其特征在于，所述电阻校准结构层为多晶硅层，所述多晶硅层与所述多晶硅电阻同层，所述多晶硅层位于所述多晶硅电阻层外侧，且与所述多晶硅电阻层相互间隔。7.根据权利要求6所述的电阻单元，其特征在于，其还包括：介质层，其位于所述多晶硅电阻、多晶硅层和图形化金属层之间且覆盖绝缘层；第一过孔金属，其贯穿所述多晶硅层上方的所述介质层，以将所述多晶硅层与所述控制端电连接；第二过孔金属，其贯穿所述多晶硅电阻上方的所述介质层，以将所述多晶硅电阻的一
端和另一端分别与所述第一连接端和第二连接端电连接。8.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：王钊，
申请(专利权)人：无锡中感微电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：