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本发明实施例公开了一种基于微纳光纤结的磁场传感器，包括：从下而上依次层叠设置的硅衬底、二氧化硅层、微纳光纤结和磁光薄膜；所述微纳光纤结由SiO2单模光纤制成，所述微纳光纤结上方覆盖有一层所述磁光薄膜；在外加磁场的作用下，所述磁光薄膜的介电常...
该专利属于重庆大学所有，仅供学习研究参考，未经过重庆大学授权不得商用。

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