一种基于微纳光纤结的磁场传感器制造技术

本发明专利技术实施例公开了一种基于微纳光纤结的磁场传感器，包括：从下而上依次层叠设置的硅衬底、二氧化硅层、微纳光纤结和磁光薄膜；所述微纳光纤结由SiO2单模光纤制成，所述微纳光纤结上方覆盖有一层所述磁光薄膜；在外加磁场的作用下，所述磁光薄膜的介电常数发生改变，使所述磁光薄膜覆盖的所述微纳光纤结的模式折射率相应变化，所述微纳光纤结的输出谐振峰发生漂移，以通过所述输出谐振峰的谐振波长漂移量和所述外加磁场的待测磁场强度之间的对应关系实现对所述外加磁场的待测磁场强度的测量。本发明专利技术的磁场传感器具有稳定性高、尺寸微型化、抗电磁干扰能力强，且制作成本低的特点。点。点。

【技术实现步骤摘要】
一种基于微纳光纤结的磁场传感器


[0001]本专利技术涉及光学传感
，具体而言，涉及一种基于微纳光纤结的磁场传感器。

技术介绍

[0002]基于法拉第效应的光纤磁场传感器传感结构简单，无需外加电源且不涉及电流传导，利用光纤进行光信号的传感和传输，具有较高的抗电磁干扰能力，且本质绝缘，电气安全性高，因此广泛用于高压电缆的故障检测、大型变压器泄漏磁通的测量以及需要电火花防护情况下监测磁场等场景。随着光互联等行业的兴起和集成光学的发展，集成化、微型化、低功耗是传感器的发展方向及发展要求。因此，面向智能时代电力系统、航天航空、汽车工业以及医疗生化等领域的磁场感知需求，磁场传感器的发展希望实现测量范围广、响应频带宽、重量体积小等技术优势。

技术实现思路

[0003]为解决上述问题，本专利技术的目的在于提供一种基于微纳光纤结的磁场传感器，具有稳定性高、尺寸微型化、抗电磁干扰能力强，且制作成本低的特点。
[0004]本专利技术实施例提供了一种基于微纳光纤结的磁场传感器，所述传感器包括：
[0005]从下而上依次层叠设置的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于微纳光纤结的磁场传感器，其特征在于，所述传感器包括：从下而上依次层叠设置的硅衬底、二氧化硅层、微纳光纤结和磁光薄膜；所述微纳光纤结由SiO2单模光纤制成，所述微纳光纤结上方覆盖有一层所述磁光薄膜；在外加磁场的作用下，所述磁光薄膜的介电常数发生改变，使所述磁光薄膜覆盖的所述微纳光纤结的模式折射率相应变化，进而使所述微纳光纤结的输出谐振峰发生漂移，以通过所述输出谐振峰的谐振波长漂移量和所述外加磁场的待测磁场强度之间的对应关系实现对所述外加磁场的待测磁场强度的测量。2.如权利要求1所述的传感器，其中，所述微纳光纤结采用直接拉伸法将SiO2单模光纤拉制为微纳量级，控制探针打结并通过位移平台拉伸收紧。3.如权利要求1或2所述的传感器，其中，所述微纳光纤结输入端和输出端通过熔融拉锥工艺制成拉锥形，所述微纳光纤结输入端和输出端两端的拉锥形单模光纤用于与所述传感器外部的光纤耦合器相接。4.如权利要求3所述的传感器，其中，采用光学胶将所述微纳光纤结输入端和输出端两端的拉锥形单模光纤固定在所述二氧化硅层上，待所述光学胶固化后，采用弹性材料涂敷和紫外光固化方法对所述微纳光纤结输入端和输出端两端的拉锥形单模光纤进行封层。5.如权利要求1所述的传感器，其中，所述磁...

【专利技术属性】
技术研发人员：敖刚，唐杰，李冬东，丁显勇，胡浩卿，王智勇，郎春海，张月坤，张绍华，朱倩钰，杨庆，刘昊橙，曾熠智，刘森林，罗金辉，李自刚，徐永生，罗庆亮，马牧云，王勤荣，
申请(专利权)人：重庆大学，
类型：发明
国别省市：