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一种半导体结构的形成方法包括经由基板的背侧移除栅极结构的一部分，以形成沟槽而将栅极结构隔离成两个部分。该方法还包括沉积牺牲材料于沟槽中，且牺牲材料顺应性地沿着沟槽的侧壁；将第一介电材料填入沟槽的其余部分；部分地移除牺牲材料，以保留开口于第一...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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