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本发明涉及一种高比表面积的MoS2@C双层中空球的制备及应用。所述MoS2@C双层中空球的形貌为二硫化钼包覆碳球的双层中空结构，所述MoS2@C双层中空球的平均尺寸为1
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该专利属于常州工业职业技术学院所有，仅供学习研究参考，未经过常州工业职业技术学院授权不得商用。

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