【技术实现步骤摘要】
一种高比表面积MoS2@C双层中空球的制备及应用
[0001]本专利技术涉及纳米材料及环保材料领域，具体地，涉及一种高比表面积MoS2@C双层中空球的制备及应用。
技术介绍
[0002]随着当今世界经济的发展和人口的快速增长，环境问题和能源危机成为当前的热点。近年来随着城市化及工业化的进程，水污染造成的水资源短缺已经成为制约人类社会发展的最重要的一大难题。探索和发展新型的工业废水处理技术成为当前的研究热点。
[0003]基于半导体材料的光催化氧化技术应逐步应用于水中污染物的降解，如有机染料、抗生素、酚类化合物及重金属离子等。以TiO2为代表的半导体材料应用于水污染净化被广泛报道，涌现大量光催化技术相关专利。近年来，半导体纳米材料，特别是碳基纳米复合材料也被应用于电容吸附除盐领域，有助于除去废水中的离子。电吸附技术作为一种新型水处理技术，较传统技术如离子交换、电渗析技术等有着巨大的优势。国家专利技术专利CN 107673444 A提供了一种紫外光照射氧化石墨烯和乙二醇钛混合分散液的方法制备了一种复合材料，用于高性能电容...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种高比表面积的MoS2@C双层中空球，其特征在于，所述MoS2@C双层中空球的形貌为二硫化钼包覆碳球的双层中空结构，所述MoS2@C双层中空球的平均尺寸为1
‑
2 μm；其中所述MoS2@C双层中空球中碳的质量百分含量为1%
‑
10%，余量为二硫化钼。2.根据权利要求1所述的高比表面积的MoS2@C双层中空球的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）SiO2纳米球模板的制备在烧杯中依次加入去离子水、乙醇、正硅酸四乙酯（TEOS）和NH3·
H2O，在室温下剧烈搅拌25 min，经过一段时间的搅拌，溶液会逐渐由透明向乳白色转变，得SiO2纳米球；（2）MoS2@C中空球的合成以步骤（1）中制备的SiO2纳米球为模板，再将碳源、硫源、钼源及还原剂先后分散到有机溶剂中，避光条件下持续搅拌24 h后转入反应釜，水热反应后经酸化刻蚀得到MoS2@C中空球；（3）MoS2@C双层中空球的合成以步骤（2）中制备的MoS2@C中空球为模板，将碳源、硫源及钼源先后分散到有机溶剂中，避光条件下持续搅拌24 h后转入反应釜，置于真空干燥箱内水热反应后得MoS2@C双层中空球。3.根据权利要求2所述的高比表面积的MoS2@C双层中空球的制备方法，其特征在于，所述碳源为葡萄糖、间苯二酚或可溶性淀粉的任意一种，所述硫源为硫脲、硫化钠或硫化铵的任意一种；所述钼源为四硫代钼酸铵、钼酸铵、钼酸钠或者五氯化钼中的任意一种；所述还原剂为抗坏血酸、盐酸羟胺、硼氢化钠的任意一种。4.根据权利要求3所述的高比表面积的MoS2@C双层中空球的制备方法，其特征在于，所述步骤（2）中酸化刻蚀所用酸为HF，所述HF的质量百分比浓度为10%
‑
40%。5.根据权利要求2~4任一项制备的所述高比表面...
【专利技术属性】
技术研发人员：唐国钢，梅彤，薛靖，周弋帛，徐自明，薛茂权，
申请(专利权)人：常州工业职业技术学院，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。