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本申请公开了一种三维沟槽电极硅探测器及其制备方法。三维沟槽电极硅探测器包括衬底、中央电极、沟槽电极以及多重漂浮环；中央电极设置在衬底中央；沟槽电极呈环形，设置在衬底外周并环绕中央电极；多重漂浮环设置在衬底上、位于中央电极和沟槽电极之间，且每...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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