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本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，所述半导体器件包括：衬底，且所述衬底包括第一区域和第二区域；浅沟槽隔离结构，设置在所述第一区域和所述第二区域上，且所述浅沟槽隔离结构低于所述衬底表面，形成开口；介质层，设置在所述开口内和所述衬底上，且...
该专利属于合肥晶合集成电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥晶合集成电路股份有限公司授权不得商用。

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