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一种石墨烯/二硫化钨的气体传感器的制备工艺及其传感器制造技术
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下载一种石墨烯/二硫化钨的气体传感器的制备工艺及其传感器的技术资料
文档序号:34240076
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本发明属于微机电系统气体传感器芯片技术领域,涉及一种石墨烯/二硫化钨的气体传感器的制备工艺,包括:在基底的上表面沉积绝缘层;将基底超声清洗,在绝缘层表面沉积厚度形状可控的插齿电极;利用湿法转移将石墨烯层平整地转移至插齿电极表面;配制10mg...
该专利属于镇江市电子管厂所有,仅供学习研究参考,未经过镇江市电子管厂授权不得商用。
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