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本发明提供的组对结构的单管非易失性存储单元阵列中，多个组对存储单元在衬底上行列排布且均包括沿列方向排布、源极相连接且作为最小存储单元的第一存储管和第二存储管；组对存储单元对应的一组位线中，一条连接对应组对存储单元中的第一存储管的漏极，另一条...
该专利属于杭州存对半导体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州存对半导体技术有限公司授权不得商用。

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