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一种半导体结构的形成方法，形成方法包括：提供基底；在基底上形成栅极结构；在栅极结构两侧的基底中形成凹槽，凹槽底面的基底具有第一晶向；采用外延工艺，在凹槽中形成源漏掺杂层，其中，外延工艺采用的硅源包括第一硅源和第二硅源，第一硅源适于实现源漏掺...
该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。

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