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一种绝缘栅半导体器件（３０），包括栅极（３４）、源极端子（３６）、漏极端子（３８）和栅极处的可变输入电容。该器件导通时的输入电容（Ｃ↓［ｆｉｓｓ］）和该器件截止时的输入电容（Ｃ↓［ｉｉｓｓ］）之间的比值小于２，并且优选地基本上等于１。在本发...
该专利属于西北大学所有，仅供学习研究参考，未经过西北大学授权不得商用。

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