快速开关功率绝缘栅半导体器件制造技术

一种绝缘栅半导体器件（３０），包括栅极（３４）、源极端子（３６）、漏极端子（３８）和栅极处的可变输入电容。该器件导通时的输入电容（Ｃ↓［ｆｉｓｓ］）和该器件截止时的输入电容（Ｃ↓［ｉｉｓｓ］）之间的比值小于２，并且优选地基本上等于１。在本发明专利技术的一个实施方式中，这是通过栅极处的有效厚度ｄ↓［ｉｎｓ］小于最小厚度的绝缘层（３２）来实现的。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及绝缘栅半导体器件，例如金属氧化物硅场效应晶体管(MOSFET’s)，特别涉及用于功率开关应用的器件和一种用于驱动这种器件的方法。
技术介绍
在已知的MOSFET结构中，目前优选减小用于开关器件的栅极电压VGS，这意味着较大的输入栅电容。绝缘栅器件的栅结构所固有的电容限制了这种器件的开关速度。众所周知，Miller效应也对前述类型的器件栅极上的输入电容产生影响，在器件开关过程中，典型的商用MOSFET的输入电容会发生变化。当器件截止时，输入电容有一个初始值Ciiss，当器件导通时，有第二个值Cfiss。对于一个已知的商用IRF740功率MOSFET，第二个值和第一个值的比约为2.5。这样的比值被发现会降低这些器件的开关速度。IRF 740 MOSFET开启的总开关时间TS由大约14ns的导通延迟时间Tdon和大约24ns的漏源电压下降时间Tf之和组成，一共大约38ns。相应的关断时间大约为77ns。这对某些应用来讲太长了。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的之一是提出一种绝缘栅器件以及驱动这种器件的方法和电路，申请者认为本专利技术至少可以减轻以上提到的不利条件的影响。根本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种绝缘栅器件，包括与栅极端子相连的栅极，并且当器件在导通态和截止态之间转换时在栅极端子处具有可变输入电容，器件导通时的电容最终值和器件截止时的电容初始值之间的比值小于２．０。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：巴兰德韦斯尔，奥克尔C德扎格尔，
申请(专利权)人：西北大学，
类型：发明
国别省市：ZA[南非]