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本申请实施例提供了一种半导体器件及其制造方法，方法包括：在晶圆表面形成的晶体管阵列的各柱状沟道的周围，形成环绕柱状沟道的栅极；栅极包括相互连接的第一栅极和第二栅极，且第一栅极以第一包围角度包围柱状沟道，第二栅极以第二包围角度包围柱状沟道；第...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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