温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本公开提供了一种半导体器件及其制作方法。所述方法包括：形成包括核心区的第一半导体结构，所述核心区包括半导体层、位于所述半导体层上的堆叠结构和贯穿所述堆叠结构并延伸进入所述半导体层的沟道结构；去除所述沟道结构末端的所述半导体层以暴露出所述沟道...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。