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本发明涉及非门逻辑电路及其形成方法。该非门逻辑电路，包括：一输入端，用于接收输入电压信号；一增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管，其栅电极耦接至所述输入端，其源电极耦接至接地点；一耗尽型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管，其漏电极耦接至电压源，其栅...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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