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本发明的一种快速写入的抗单粒子翻转SRAM单元电路，包括八个NMOS晶体管和六个PMOS晶体管，依次记为N1～N8和P1～P6，对于存储节点Q和QB，PMOS晶体管P1和P2作为上拉管，NMOS晶体管N3和N4由冗余节点S0和S1控制加固，...该专利属于北京航空航天大学合肥创新研究院（北京航空航天大学合肥研究生院）所有，仅供学习研究参考，未经过北京航空航天大学合肥创新研究院（北京航空航天大学合肥研究生院）授权不得商用。