温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

偏置结构包括连接到第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管的栅极结构的参考电压节点、包括偏置电压的偏置电压节点、以及第一运算放大器，该第一运算放大器具有连接到参考电压的第一输入、连接到第一NMOS晶体管的漏极的第二输入以及连接到第一PMOS晶...
该专利属于高通股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过高通股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。