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本实用新型涉及一种芯片中模拟开关控制电路，包括：第一ＮＭＯＳ管、第一ＰＭＯＳ管；还包括：第二ＰＭＯＳ管、第三ＰＭＯＳ管、第四ＰＭＯＳ管；所述的第二ＰＭＯＳ管和第三ＰＭＯＳ管的栅极与第一ＰＭＯＳ管的栅极相接，所述的第二ＰＭＯＳ管和第三ＰＭＯＳ...
该专利属于广芯电子技术(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广芯电子技术(上海)有限公司授权不得商用。

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