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本发明公开了一种低噪声带隙基准电路,涉及硅基电源领域。该电路包括偏置电流产生模块、稳定性补偿模块、带隙基准电压产生模块;偏置电流产生模块包括第一~第六晶体管、第一~第二三极管、第一~第三电阻;稳定性补偿模块包括第四电阻和第一电容;带隙基准电...该专利属于中国电子科技集团公司第五十四研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国电子科技集团公司第五十四研究所授权不得商用。
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本发明公开了一种低噪声带隙基准电路,涉及硅基电源领域。该电路包括偏置电流产生模块、稳定性补偿模块、带隙基准电压产生模块;偏置电流产生模块包括第一~第六晶体管、第一~第二三极管、第一~第三电阻;稳定性补偿模块包括第四电阻和第一电容;带隙基准电...