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本发明公开的基于忆阻器和CMOS晶体管的加法器，包括：m个全加电路，以及m个高进位电路；其中，第i个全加电路的非门1、非门2及非门3的输出端分别连接第i个高进位电路的两输入或非门1及两输入或非门2、两输入或非门1及两输入或非门3、两输入或非...
该专利属于安徽工程大学所有，仅供学习研究参考，未经过安徽工程大学授权不得商用。

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