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本发明公开了一种斯格明子晶体管及斯格明子晶体管控制方法，该晶体管包括：铁磁纳米管；分别环绕设置在铁磁纳米管的两端的写入磁性隧道结和读取磁性隧道结；铁电环，环绕设置在铁磁纳米管的外侧，且位于写入磁性隧道结和读取磁性隧道结之间，铁磁纳米管与铁电...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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