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简要地说，按照本发明的一个实施例，一种集成电路具有电压发生器，所述电压发生器有选择地增加在晶体管的沟道区域上的相对于晶体管的源极区域的电压电位。...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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