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本申请涉及具有栅电极掺杂的半导体结构。公开了包含栅电极层结构的半导体装置。根据本公开的实例半导体装置包含半导体衬底和所述半导体衬底上方的第一和第二栅电极。所述第一和第二栅电极中的每一栅电极包含所述半导体衬底上方的栅极绝缘体、所述栅极绝缘体上...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

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