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本发明揭示一种包含一用于上拉晶体管的栅极控制电路的电路,在此电路中,上拉晶体管的栅极端G被连接至栅极控制电路,上拉晶体管的源极端S被连接至电源电位,上拉晶体管的漏极端D被连接至焊垫节点,且上拉晶体管的基底B被连接至一N阱,此电路的特征在于,...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。
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本发明揭示一种包含一用于上拉晶体管的栅极控制电路的电路,在此电路中,上拉晶体管的栅极端G被连接至栅极控制电路,上拉晶体管的源极端S被连接至电源电位,上拉晶体管的漏极端D被连接至焊垫节点,且上拉晶体管的基底B被连接至一N阱,此电路的特征在于,...