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本发明公开了一种电容器或电阻器结构，其中的至少一者可通过将栅极介电层图案化成栅极电介质并且图案化成第一节点电介质或第一电阻器隔离电介质，并且通过将半导体层图案化成栅极电极并且图案化成电容器或电阻器条带的第二电极而与场效应晶体管的形成同时形成...
该专利属于桑迪士克科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过桑迪士克科技有限责任公司授权不得商用。

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