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公开了一种半导体器件逻辑电路，其中的半导体器件的结构之中，栅极沟道层中与源极和漏极中的带电离子为相同型态。栅极沟道层与两侧的源极和漏极之间的隔离无需依靠ＰＮ节，可以更加有效的利用外加运作电压的电场效应，使用范围更广的掺杂离子浓度与介电质层厚...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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