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本发明提供一种ESD保护电路，属于集成电路芯片静电放电保护设计技术领域，包括：瞬态探测电路，其包括：第一PMOS管，与第一PMOS管连接的第一和第二NMOS管，与第一PMOS管栅极连接的第一分压元件，与第一分压元件串联的第一电容，与第一NM...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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