下载基于硅-二氧化硅-氮化硅-二氧化硅-硅的多级非易失性存储器装置及其操作方法的技术资料

文档序号:34089851

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一种半导体装置,该半导体装置具有:基于半导体
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该专利属于赛普拉斯半导体公司所有,仅供学习研究参考,未经过赛普拉斯半导体公司授权不得商用。

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