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一种自旋轨道转矩(SOT)磁隧道结(MTJ)器件包括衬底、衬底上方的种子以及位于该种子层上具有(0120)取向的铋锑(BiSb)层。种子层包括硅化物层和表面控制层。硅化物层包含NiSi、NiFeSi、NiFeTaSi、NiCuSi、CoSi...
该专利属于西部数据技术公司所有，仅供学习研究参考，未经过西部数据技术公司授权不得商用。

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