下载包含用于接触通孔结构的介电阱结构的多层三维存储器器件及其形成方法的技术资料

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在衬底上方形成第一绝缘层和第一间隔物材料层的第一竖直交替序列以及第一层后向阶梯式介电材料部分。该第一间隔物材料层形成为第一导电层,或者随后被该第一导电层替换。在该第一竖直交替序列和该第一层后向阶梯式介电材料部分上方形成第二绝缘层和第二间隔物...
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